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J-GLOBAL ID:200903034251331160

処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993008516
Publication number (International publication number):1994224145
Application date: Jan. 21, 1993
Publication date: Aug. 12, 1994
Summary:
【要約】【目的】 不活性ガスの消費量が少なくて済み、ローディングエリアを陽圧で高純度の不活性ガス雰囲気に維持できて、半導体ウエハのロード/アンロード時の自然酸化膜の発生などを抑制できる非常に経済的で高性能な処理装置を提供することを目的とする。【構成】 装置本体1内に、半導体ウエハ5に処理するプロセス容器41と、これに半導体ウエハ5を挿脱するウエハボート61を備えたローディングエリア13と、キャリア6の搬入出用エリア15と、キャリア6の移載用ステージ18を囲むパスボックス16と、オートドア31,32と、キャリア6内の半導体ウエハ5をウエハボート61に移載する移載機64と、ローディングエリア13内とパスボックス16内を不活性ガス雰囲気に置換するガス導入管71,101及びガス排気管72,103とを備えてなる。
Claim (excerpt):
装置本体内に、被処理物に所定の処理を施す処理室と、この処理室に対し被処理物を挿脱するローディング機構を備えたローディングエリアと、被処理物を収納したキャリアの搬入出用エリアと、このキャリアを一時的に受ける移載用ステージと、この移載用ステージのキャリア内の被処理物を前記ローディングエリアのローディング機構に移載する移載機とを備えてなる処理装置であって、前記ローディングエリアを装置本体内に区画構成し、且つこのローディングエリア内を陽圧の不活性ガス雰囲気に置換・維持する第1のガス給排手段を設ける一方、前記移載用ステージを前記搬入出用エリアとローディングエリアに対しオートドアを介し連通/遮断可能にパスボックス化し、且つこのパスボックス内を不活性ガスに置換する第2のガス給排手段を設けて構成したことを特徴とする処理装置。
IPC (2):
H01L 21/22 ,  H01L 21/68
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開平4-287315
  • 特開平4-329630
  • 特開平4-269824

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