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J-GLOBAL ID：200903034258038697
半導体発光デバイス
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992049590
Publication number (International publication number)：1993251739
Application date： Mar. 06, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 道路、情報表示板、自動車用高輝度信号機半導体発光デバイスで赤色より短波長領域で輝度が1cd以上の橙色から黄色、緑色迄のLEDを提供する。【構成】 少なくとも一つ以上の発光層部と該発光層部から発光せられる光エネルギー以上のエネルギーバンドギャップを有する透明な結晶基板部、若しくは半導体エピタキシャル結晶成長層部と該結晶基板、若しくは該エピタキシャル結晶成長層部上に構築されたn型InGaAlPグラッド層部33,34とp型InGaAlPグラッド層部26,30とで挟まれたInGaAlp半導体4元素混晶で構成された活性層部25,29との構造体から成る発光層部上に電流拡散層部を設けて成る半導体発光素子同志を、2個35,36以上順方向に共晶合金12化手段で接合させて成る半導体発光デバイスである。
Claim (excerpt)：
光半導体結晶基板上に少なくとも一つ以上の発光層を構成する半導体発光素子同志若しくは光半導体結晶基板上に少なくとも一つ以上の発光層を構成する半導体発光素子と光半導体結晶基板とを金属によって接合して成ることを特徴とする半導体発光デバイス。
Patent cited by the Patent：
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