Pat

J-GLOBAL ID：200903034262336554

半導体素子用熱特性シミュレーション素子およびそれを用いる測定方法

Inventor： 井上 友喜 ,  井手 尚人 ,  大塚 恭史 ,  田中 信行
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社 ,  ソニー株式会社
Agent (1)： 西教 圭一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999320172
Publication number (International publication number)：2001141680
Application date： Nov. 10, 1999
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体素子を搭載した電子機器の熱容量などの熱特性を、正確に、かつ容易に評価する。【解決手段】 窒化アルミニウムを主体とする焼結体から成る基板1の平坦な一表面6上に、Pt薄膜から成るヒータ2が形成されるとともに、Pt薄膜から成る温度センサ3が形成される。ヒータ2を、予め定める電力によって発熱させ、温度センサ3によって温度を検出する。ヒータ2の供給電力、したがって発熱量と、温度センサ3の検出温度とに基づいて、電子機器である被測定物の熱伝導、熱容量およびその他の熱特性を測定する。これによって新たな半導体素子を搭載する電子機器の熱設計を、正確かつ容易に行うことができる。

Claim (excerpt)：

窒化アルミニウムを主体とする焼結体から成る基板と、基板に設けられ、Ptから成るヒータと、基板に設けられ、Ptから成る温度センサとを含むことを特徴とする半導体素子用熱特性シミュレーション素子。

IPC (2)：

G01N 25/18 ,  H01L 21/00

FI (2)：

G01N 25/18 G ,  H01L 21/00

F-Term (17)：

2G040AA01 ,  2G040AB05 ,  2G040AB08 ,  2G040AB09 ,  2G040BA08 ,  2G040BA18 ,  2G040BA27 ,  2G040CA02 ,  2G040DA02 ,  2G040DA12 ,  2G040DA21 ,  2G040EA02 ,  2G040EA11 ,  2G040EA13 ,  2G040EB02 ,  2G040EC03 ,  2G040GB01