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J-GLOBAL ID:200903034276752542

光波長変換モジュール

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000121981
Publication number (International publication number):2001308454
Application date: Apr. 24, 2000
Publication date: Nov. 02, 2001
Summary:
【要約】【課題】 半導体レーザから発せられた基本波を導波路型の光波長変換素子により波長変換し、そして該半導体レーザの発振波長を選択、ロックする構成を有する光波長変換モジュールにおいて、半導体レーザの波長ロック可能な範囲を拡大させる。【解決手段】 光導波路型の光波長変換素子15と、この光波長変換素子15に入射される基本波としてのレーザビーム11を発する半導体レーザ100と、この半導体レーザ100から発せられた後該半導体レーザ100にフィードバックされるレーザビーム11を波長選択する狭帯域バンドパスフィルター等の波長選択光学素子14とからなる光波長変換モジュールにおいて、半導体レーザ100として多重量子井戸活性層125を有するものを用い、この多重量子井戸活性層125を構成する複数の量子井戸層のうちの少なくとも一つを、他の量子井戸層と組成および/または厚みが異なるものとする。
Claim (excerpt):
光導波路を有し、該光導波路を導波する基本波を波長変換する光波長変換素子と、前記基本波としてこの光波長変換素子に入射されるレーザビームを発する半導体レーザと、この半導体レーザから発せられた後該半導体レーザにフィードバックされるレーザビームを波長選択する波長選択光学素子とからなる光波長変換モジュールにおいて、前記半導体レーザが多重量子井戸活性層を有し、この多重量子井戸活性層を構成する複数の量子井戸層のうちの少なくとも一つが、他の量子井戸層と組成および/または厚みが異なることを特徴とする光波長変換モジュール。
IPC (5):
H01S 5/14 ,  G02B 6/10 ,  G02B 6/16 ,  G02F 1/377 ,  H01S 5/323
FI (5):
H01S 5/14 ,  G02B 6/10 C ,  G02B 6/16 ,  G02F 1/377 ,  H01S 5/323
F-Term (21):
2H050AC82 ,  2K002AB12 ,  2K002BA01 ,  2K002CA03 ,  2K002DA06 ,  2K002EA03 ,  2K002FA26 ,  2K002FA27 ,  2K002HA20 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA67 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB22 ,  5F073DA23 ,  5F073EA29

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