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J-GLOBAL ID：200903034291621713

オプトエレクトロニクス用半導体チップ

Inventor：
ラルフ ヴィルト

About ラルフ ヴィルト


Applicant, Patent owner：
オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

About オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング


Agent (5)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002586410
Publication number (International publication number)：2004524710
Application date： Apr. 26, 2002
Publication date： Aug. 12, 2004
Summary：
半導体チップ、殊に、発光ダイオードは、基板(2)を有しており、基板上に、活性層(5)と共に半導体層列(3)が堆積されている。半導体層列(3)の上側に、ビーム出力結合に関して、半球レンズ(7)の機能を有するフレネルレンズの形式に構造化された階段状の窓層(6)が設けられている。そうすることによって、半導体チップを特に高い出力結合効率にすることができる。
Claim (excerpt)：
光量子放出活性領域(5)と後続の窓層(6)を有する半導体層列(3)が設けられているオプトエレクトロニクス用の半導体チップにおいて、 窓層(6)は、フレネルレンズの形式による領域内で構造化されており、該構造化の結果、活性領域(5)から放射されたビームが、前記窓層(6)との境界面上の領域内で、前記活性領域(5)の方に向かって傾斜している包囲媒質の方に入射するように構成されていることを特徴とする半導体チップ。
IPC (1)：
H01L33/00
FI (1)：
H01L33/00 M
F-Term (3)：
5F041AA03 ,  5F041AA06 ,  5F041CB14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-064003   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
  • 特開昭59-051580
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-199944   Applicant：日本ビクター株式会社
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