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J-GLOBAL ID:200903034294180297

半導体装置及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 伊東 忠彦 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991241966
Publication number (International publication number):1993082672
Application date: Sep. 20, 1991
Publication date: Apr. 02, 1993
Summary:
【要約】【目的】 本発明は放熱構造を有する半導体装置に関し、容易に製造可能であり、放熱効果を高くすることを目的とする。【構成】 チップ4の表面及びステージ3の裏面方向の少なくとも何れか一方のうち、例えばチップ4の表面方向に放熱ブロック6をパッケージ表面と同一表面で表出させて設ける。この場合、樹脂モールド時に上金型に形成された吸着孔により該放熱ブロック6を吸着固定してモールドを行う。
Claim (excerpt):
リードフレーム(2)のステージ(3)上にチップ(4)が搭載され、該リードフレーム(2)との接続後、樹脂モールドされる半導体装置において、前記チップ(4)の表面方向及び前記ステージ(3)の裏面方向の少なくとも何れか一方に、前記樹脂モールドされたパッケージの表面に表出する所定数の放熱ブロック(6,6a,6b,16)を設けることを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
H01L 23/28 ,  H01L 23/29

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