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J-GLOBAL ID：200903034298497066

電界発光素子の製造方法

Inventor： 定別当 裕康
Applicant, Patent owner： カシオ計算機株式会社
Agent (1)： 杉村 次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998156831
Publication number (International publication number)：1999339958
Application date： May. 22, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 微細な電極が形成でき、基板の大型化も図ることができ、電極間のショートの発生を防止できる電界発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 積層構造のITO膜12と金属層13とをアノード電極パターンにパターニングし、アノード電極上の発光部となる領域以外に層間絶縁膜15を形成する。層間絶縁膜15上にレジストマスク16をカソード電極の形成領域を挟むようにパターニングし、有機EL層18と、カソード金属層19を蒸着により形成する。この結果、レジストマスク16で挟まれた領域に有機EL層18とカソード電極19Aが形成される。次に、ライトエッチを行って、レジストマスク16の側壁に付着したカソード金属層19を除去することにより、レジストマスク16上のカソード金属層19とカソード電極19Aとを電気的に分離することができる。このため、電極間のショートの発生を防止することができる。また、ハードマスクを用いずにカソード電極をパターニングできるため、電極をファインピッチ化でき、基板を大型化できる。

Claim (excerpt)：

有機発光層をカソード電極とアノード電極とで挟んでなる発光部を複数備える電界発光素子の製造方法であって、透明基板の上にアノード電極をパターン形成した後、前記透明基板及び前記アノード電極上に前記発光部を避けて比較的膜厚の厚いフォトレジストを配置し、発光表示領域全体に有機発光層とカソード金属層を順次堆積させた後、前記フォトレジストの側壁に付着したカソード金属層を絶縁させることを特徴とする電界発光素子の製造方法。

IPC (3)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22

FI (3)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 Z