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J-GLOBAL ID：200903034309973981

TAB式半導体装置のリードフレームへの実装構造

Inventor： 桑原 啓二
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991200722
Publication number (International publication number)：1993047837
Application date： Aug. 09, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 キャリアフィルムに接続した半導体素子をリードフレームに実装することにより、狭ピッチ、多リードのTAB式半導体装置が得られる。【構成】 リードフレーム2にバンプ13cとの対応する位置にプレス等により、穴部2cを設けることによりリードフレーム2とバンプ13cとの位置合わせを容易にして接合することができる。また、バンプ13c及びリードフレーム2の表面を錫又は錫と鉛の合金でメッキにして、この穴部2cにバンプ13cを位置合わせをして両者を接合すると熱圧着に際して、バンプ13cの周囲にフィレット9が形成されるので、両者の接合強度を更に増すことができる。

Claim (excerpt)：

半導体素子の電極に絶縁性フィルムに形成した回路パターンのインナーリードをそれぞれ接続して外形切断したTAB式半導体装置と、多数のリードを有するリードフレームとからなり、前記TAB式半導体装置の回路パターンのアウターリードにバンプを形成すると共に、前記リードフレームのリードの前記バンプと対応する位置に穴部を形成すると共に、前記リードフレームのリードの穴部にメッキをして、それぞれ接続して樹脂で封止したことを特徴とするTAB式半導体装置のリードフレームへの実装構造。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/50