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J-GLOBAL ID：200903034311661687

プラズマ発生装置

Inventor： 滝 正和 ,  西川 和康 ,  大森 達夫
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 村上 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992118299
Publication number (International publication number)：1993290995
Application date： Apr. 10, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ウエハ面内のエッチング速度の均一性等を向上するため、一様な分布密度のプラズマを生成できるようにする。【構成】 真空チャンバ105の一壁に配設されたマイクロ波導入窓109に近接して環状の導波管108を設置し、環状の導波管108の一部にスリット110を設け、このスリット110からマイクロ波導入窓109を介してプラズマ反応室101にマイクロ波を導入するようにしたものである。

Claim (excerpt)：

ガスを導入又は排気可能な真空チャンバと、この真空チャンバの側壁に設けられ、真空チャンバ内に磁場を発生するための磁場発生手段と、真空チャンバ壁の一面に配設されたマイクロ波導入窓と、マイクロ波発生装置からマイクロ波が導かれる環状の導波管とを備え、上記環状導波管の一部分にスリットを設け、このスリットをマイクロ波導入窓に近接して設置し、環状導波管からスリット、マイクロ波導入窓を通して真空チャンバ内にマイクロ波を導入し、プラズマを生成することを特徴とするプラズマ発生装置。

IPC (3)：

H05H 1/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302