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J-GLOBAL ID：200903034322513086

絶縁膜の形成方法および形成システム

Inventor： 村川 惠美 ,  熊井 寿和 ,  中西 敏雄
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 木村 満
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001260179
Publication number (International publication number)：2003068731
Application date： Aug. 29, 2001
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 信頼性の高い絶縁膜の形成方法および形成システムを提供する。【解決手段】 MISFET100のゲート絶縁膜104を、シリコン酸化膜106と、シリコン窒化膜107と、高誘電率膜108と、から構成する。シリコン酸化膜106およびシリコン窒化膜107は、ラジアルラインスロットアンテナを用いたマイクロ波プラズマ処理によって形成される。

Claim (excerpt)：

シリコン基板の表面領域にシリコン酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、前記シリコン酸化膜の表面領域にシリコン窒化膜を形成する窒化膜形成工程と、前記シリコン窒化膜上に、シリコン酸化膜よりも誘電率の高い誘電率膜を形成する工程と、を備え、前記酸化膜形成工程は、酸素を含むガスに、複数のスリットを備える平面アンテナからマイクロ波を照射して生成したプラズマに、前記シリコン基板の表面を曝露し、前記シリコン基板の表面領域にシリコン酸化膜を形成する工程を備え、前記窒化膜形成工程は、窒素を含むガスに、複数のスリットを備える平面アンテナからマイクロ波を照射して生成したプラズマに、前記シリコン酸化膜の表面を曝露し、前記シリコン酸化膜の表面領域にシリコン窒化膜を形成する工程を備える、ことを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/78

FI (5)：

H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 A ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/318 A ,  H01L 29/78 301 G

F-Term (31)：

5F058BA01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF08 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA24 ,  5F140AA28 ,  5F140BA01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04