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J-GLOBAL ID：200903034325711423
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
田中 隆秀 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991196807
Publication number (International publication number)：1993041519
Application date： Aug. 06, 1991
Publication date： Feb. 19, 1993
Summary：
【要約】【目的】 素子サイズを増加させることなく、またオン特性を劣化させることなく、オフ電流の少ない薄膜トランジスタを提供すること。【構成】 ソース電極部2s、ドレイン電極部2dおよびそれらの間に形成されたチャネル領域2cが多結晶シリコン(poly-Si)により形成された薄膜トランジスタ(TFT)において、前記チャネル領域2cのソース/ドレイン接合付近の結晶粒界が、トランジスタ動作時の電流方向と平行になっている。前記TFTを製造する際、前記多結晶シリコンの結晶成長過程は、レーザ照射、およびシリコンイオン注入後熱処理する2段階よりなる。
Claim (excerpt)：
ソース電極部、ドレイン電極部およびそれらの間に形成されたチャネル領域が多結晶シリコン(poly-Si)により形成された薄膜トランジスタ(TFT)において、前記チャネル領域のソース/ドレイン接合付近の結晶粒界が、トランジスタ動作時の電流方向と平行になっていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2)：
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