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J-GLOBAL ID：200903034329028981

カルコパイライトナノ粒子の製造方法及び光電変換素子

Inventor： 南 昌樹 ,  久保 貴哉 ,  久手 幸徳 ,  伊藤 慶一 ,  葛谷 俊博 ,  隅山 兼治
Applicant, Patent owner： 新日本石油株式会社 ,  国立大学法人 名古屋工業大学
Agent (1)： 森田 順之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007027828
Publication number (International publication number)：2008192542
Application date： Feb. 07, 2007
Publication date： Aug. 21, 2008
Summary：

【課題】サイズが制御され、組成が制御され、形状が制御され、結晶構造が制御された高品位なカルコパイライトナノ粒子を安価に合成する方法を提供する。【解決手段】周期律表第Ib族金属化合物、第IIIb族金属化合物、および第VIb族化合物を有機溶媒中で混合してナノ粒子を形成することを特徴とする第Ib族金属-第IIIb族金属-第VIb族元素で表わされるカルコパイライトナノ粒子の製造方法。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

周期律表第Ib族金属化合物、第IIIb族金属化合物、および第VIb族化合物を有機溶媒中で混合してナノ粒子を形成することを特徴とする第Ib族金属-第IIIb族金属-第VIb族元素で表わされるカルコパイライトナノ粒子の製造方法。

IPC (3)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04 ,  C01G 15/00

FI (3)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z ,  C01G15/00 B

F-Term (12)：

5F051AA10 ,  5F051AA14 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032AS17 ,  5H032BB07 ,  5H032BB10 ,  5H032EE02 ,  5H032EE03 ,  5H032EE16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 硫黄前駆体としてチオール化合物を用いた硫化金属ナノ結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-122400   Applicant：三星電子株式会社

Cited by examiner (4)

• 光電変換装置およびそれを用いた光発電装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-311247   Applicant：京セラ株式会社
• 光電変換装置およびそれを用いた光発電装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-019702   Applicant：京セラ株式会社
• 化合物半導体膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-230480   Applicant：セントラル硝子株式会社
• 化合物半導体膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-084197   Applicant：セントラル硝子株式会社