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J-GLOBAL ID：200903034330927817

半導体圧力センサの製造方法

Inventor： 横山 賢一
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996091438
Publication number (International publication number)：1997280972
Application date： Apr. 12, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ダイシングカット時にセンサチップの角で金属膜が剥離しないようにする。【解決手段】 貫通孔1aが形成されたシリコン台座1の一端面に金属膜4を形成し、貫通孔1aからの導入圧力を受けるダイヤフラム31が形成された半導体センサウェハ3にシリコン台座1の他端面を接合し、半導体センサウェハ3およびシリコン台座1をダイシングカットしてセンサチップに分離した後、金属膜4をステムに半田付けして半導体圧力センサを製造する方法において、金属膜4を形成する際、後工程でダイシングカットされる部分をマスク材16によりマスクしてリング状に形成する。従って、ダイシングカットされる部分には金属膜4が形成されないため、ダイシングカット時に金属膜4がセンサチップの角で剥離するのが防止される。

Claim (excerpt)：

貫通孔(1a)が形成された台座(1)の一端面に金属膜(4)を形成し、前記貫通孔(1a)からの導入圧力を受けるダイヤフラム(31)が形成された半導体センサウェハ(3)に前記台座(1)の他端面を接合する工程と、前記半導体センサウェハ(3)および前記台座(1)をダイシングカットしてセンサチップ(10)に分離する工程と、前記センサチップ(10)の前記金属膜(4)をステム(11)に半田付けする工程とを備えてなる半導体圧力センサの製造方法において、前記金属膜(4)を、前記台座(1)の一端面のうちダイシングカットされる部分をマスクして形成することを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。

IPC (2)：

G01L 1/18 ,  H01L 29/84

FI (2)：

G01L 1/18 ,  H01L 29/84 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-259477
  
• 特開昭58-219427