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J-GLOBAL ID：200903034333558618

光電変換用半導体および光電変換素子

Inventor： 豊田 竜生
Applicant, Patent owner： アイシン精機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999090052
Publication number (International publication number)：2000285975
Application date： Mar. 30, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】 光エネルギーで励起された色素から注入される電子を効率よく集電し光電流を増加し光電変換効率が大きくする。【解決手段】 半導体粒子を集合してなる多孔質層と色素からなる光電変換用半導体32において、半導体粒子表面、半導体粒子間の少なくとも一方に金属相37と含んでいることを特徴とする光電変換用半導体32、または表面を半導体化した金属粒子46を集合してなる多孔質層と色素からなることを特徴とする光電変換用半導体42およびその光電変換用半導体32、42が導電性基板30、31上に設けられていることを特徴とする光電変換素子。

Claim (excerpt)：

半導体粒子を集合してなる多孔質層と色素からなる光電変換用半導体において、半導体粒子表面、半導体粒子間の少なくとも一方に金属相と含んでいることを特徴とする光電変換用半導体。

IPC (2)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z

F-Term (6)：

5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051CB29 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE16