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J-GLOBAL ID：200903034335202217

透明導電材料、透明導電ガラス及び透明導電フィルム

Inventor：
井上 一吉

About 井上 一吉


Applicant, Patent owner：
出光興産株式会社

About 出光興産株式会社


Agent (1)： 東平 正道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999058386
Publication number (International publication number)：2000256061
Application date： Mar. 05, 1999
Publication date： Sep. 19, 2000
Summary：
【要約】【課題】 安価に製造することができ、かつ導電性および透明性にすぐれるとともに、製膜したとき透明導電膜のエッチング加工性に優れた透明導電材料と、その製膜に用いるスパッタリング用ターゲット、その透明導電膜を有する透明導電ガラスおよび透明導電フィルムを提供すること。【解決手段】酸化錫、酸化インジウムおよび酸化亜鉛がそれらの金属原子比でSn/(Sn+In+Zn)=0.250〜0.475In/(Sn+In+Zn)=0.025〜0.550Zn/(Sn+In+Zn)=0.025〜0.575の組成を有し、かつ酸化インジウムと酸化亜鉛がIn2 O3 (ZnO)m 〔式中のmは2〜20の整数を示す〕で表される六方晶層状化合物の形態で含有され、酸化錫と酸化亜鉛がZn2 SnO4 で表されるスピネル構造化合物の形態で含有される組成物からなる透明導電材料、該材料からなるスパッタリング用ターゲット、および該ターゲットを用いて製膜した透明導電膜を有する透明導電ガラスおよび透明導電フィルム。
Claim (excerpt)：
酸化錫、酸化インジウムおよび酸化亜鉛が、それらの金属原子比において、Sn/(Sn+In+Zn)=0.250〜0.475In/(Sn+In+Zn)=0.025〜0.550Zn/(Sn+In+Zn)=0.025〜0.575の組成を有し、かつIn2 O3 (ZnO)m 〔ただし、mは2〜20の整数である〕で表される六方晶層状化合物およびZn2 SnO4 で表されるスピネル構造の化合物を含有する組成物からなる透明導電材料。
IPC (5)：
C04B 35/457 ,  C01G 19/02 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01B 5/14
FI (5)：
C04B 35/00 R ,  C01G 19/02 ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/34 A ,  H01B 5/14 A
F-Term (27)：
4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030CA08 ,  4G030GA22 ,  4G030GA27 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA45 ,  4K029BA47 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BB09 ,  4K029BC09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC07 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC03 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 透明導電膜
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-257406   Applicant：南内嗣, 高田新三
  • 導電性材料およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-271368   Applicant：出光興産株式会社
  • 特開平3-050148

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