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J-GLOBAL ID：200903034341911971

力検出センサ及び力検出センサの製造方法

Inventor： 八木 健
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999211580
Publication number (International publication number)：2001044449
Application date： Jul. 27, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 従来の力検出センサは、検出感度が十分でないという問題があった。本発明は、製造コストを増加させることなく、検出感度が向上した力検出センサ及び力検出センサの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の力検出センサの製造方法において、ピエゾ抵抗素子を形成する前に、予めSi基板の表面のダイヤフラム部となる部分をドライエッチング法によりエッチングしている。ドライエッチング法はSiエッチング液によるウェットエッチング法に比べ、全体の厚さを均一に保ちながらエッチングすることができる。よって、従来の力検出センサに比べて、ダイヤフラム部の厚さを薄くすることができ、装置のサイズを大きくすることなく、力検出センサの検出感度は、向上する。このことによって、製造コストを増加させることなく、力検出センサの検出感度を向上することができるという効果を有する。

Claim (excerpt)：

力が作用する作用部と、該作用部の周囲に連結した可撓部と、該可撓部の周囲に連結した固定部と、前記可撓部の表面に形成された1個以上のピエゾ抵抗素子と、を有し、前記作用部、前記可撓部及び前記固定部は、半導体基板に形成され、前記固定部は前記可撓部を介して前記作用部を保持し、前記可撓部の厚さは、前記作用部の厚さ及び前記固定部の厚さより薄い力検出センサの製造方法において、前記半導体基板の表面及び前記半導体基板の裏面に窒化膜を形成する工程と、前記半導体基板の裏面または、前記半導体基板の裏面と前記半導体基板の表面の両面に形成された前記窒化膜をパターニングして前記可撓部を形成する部分の前記窒化膜に開口を形成する工程と、前記窒化膜をパターニングした前記半導体基板を酸化し、酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜をエッチングして前記可撓部を形成する工程と、を有することを特徴とする力検出センサの製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/84 ,  G01L 1/18 ,  G01L 9/04 101 ,  G01P 15/12

FI (4)：

H01L 29/84 A ,  G01L 1/18 A ,  G01L 9/04 101 ,  G01P 15/12

F-Term (23)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF11 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA24 ,  4M112CA29 ,  4M112CA33 ,  4M112CA34 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA10 ,  4M112DA11 ,  4M112DA14 ,  4M112EA02 ,  4M112EA07 ,  4M112FA01