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J-GLOBAL ID：200903034343214569

半導体放射線検出素子

Inventor： 佐藤 賢治 ,  吉牟田 利典
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 西岡 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995234143
Publication number (International publication number)：1997083008
Application date： Sep. 12, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】形成時に結晶にダメージが入らず、保護膜とも密着性のよい電極を形成し、放射線検出特性の劣化や、長期信頼性の低下を起こすことのない半導体放射線検出素子を提供する。【解決手段】化合物半導体結晶3の一つの面に形成された電極1を多層の金属膜とし、結晶3と接する最下層11は、結晶と密着性の良い金属を真空蒸着により形成し、保護膜4と接する最上層13は、保護膜4と密着性の良い金属で形成する。また、最下層11と最上層13の金属間の密着性が良くない場合は、最下層11の金属と最上層13の金属の両方に密着性の良い金属で中間層12を形成してもよい。結晶と接する最下層11の膜は真空蒸着によって形成するために、結晶にダメージが入らない。また、最上層13の膜は保護膜4と密着性の良い金属であるので、保護膜4の剥離等の問題は生じない。そして、最下層11の金属膜と最上層13の金属膜とは、中間層12として双方に密着性の良い金属膜が挟まっているのでよく密着し、全体として丈夫で長期信頼性の高い放射線検出素子となる。

Claim (excerpt)：

相対する2面に電極が形成された化合物半導体結晶からなる半導体放射線検出素子において、少なくとも一方の電極を2種以上の金属層からなる多層膜をもって構成し、この多層金属膜のうち化合物半導体結晶と接する金属膜を真空蒸着法によって形成したことを特徴とする半導体放射線検出素子。

IPC (3)：

H01L 31/09 ,  G01T 1/24 ,  H01L 27/14

FI (3)：

H01L 31/00 A ,  G01T 1/24 ,  H01L 27/14 K