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J-GLOBAL ID：200903034351839632

半導体製造方法

Inventor： 井川 聖史 ,  山本 正美 ,  池田 博一 ,  平塚 哉 ,  冷水 佐壽 ,  下村 哲
Applicant, Patent owner： 株式会社クボタ
Agent (1)： 北村 修一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000066298
Publication number (International publication number)：2001257162
Application date： Mar. 10, 2000
Publication date： Sep. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】 良好な吸収変化特性や屈折率変化特性のフォトリフラクティブ効果を有する半導体を製造し得る方法を提供する。【解決手段】 (411)A面のGaAs基板を用い、基板温度が300〜700°C、V/III比が5以上且つ10以下の条件下で、V族元素がAsであるIII-V族化合物半導体薄膜を成長させ、そのIII/V族化合物半導体薄膜にイオン注入を行ってフォトリフラクティブ効果を有する素子を製造する。

Claim (excerpt)：

(411)A面のGaAs基板を用い、基板温度が300〜700°C、V/III比が5以上且つ10以下の条件下で、V族元素がAsであるIII-V族化合物半導体薄膜を成長させ、そのIII/V族化合物半導体薄膜にイオン注入を行うことを特徴とする半導体製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 ,  G02F 1/35 ,  G02F 1/355 501

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 H ,  G02F 1/35 ,  G02F 1/355 501

F-Term (24)：

2K002AA01 ,  2K002AB12 ,  2K002CA13 ,  2K002DA12 ,  2K002EA08 ,  2K002HA16 ,  4G077AA03 ,  4G077BE45 ,  4G077BE46 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077EF04 ,  4G077FD02 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AF13 ,  5F045DA55 ,  5F045HA15