Pat
J-GLOBAL ID:200903034355808235

共振空洞発光デバイス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  今城 俊夫 ,  西島 孝喜
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004249759
Publication number (International publication number):2005079595
Application date: Aug. 30, 2004
Publication date: Mar. 24, 2005
Summary:
【課題】 本発明は半導体発光デバイスに関し、詳細には、共振空洞発光デバイスに関する。【解決手段】 発光デバイスは、反射性金属層と分散型ブラッグ反射器とによって形成された共振空洞を含む。光は、分散型ブラッグ反射器を通って共振空洞から取り出される。第1の導電型の層と第2の導電型の層との間に挟まれた発光領域は、共振空洞内に配置される。幾つかの実施形態においては、第1及び第2のコンタクトが共振空洞の同じ側に形成され、フリップチップデバイス又はエピタキシ・アップ・デバイスを構成する。【選択図】 図5
Claim (excerpt):
第1の導電型の領域及び第2の導電型の領域間に配置された発光領域と、分散型ブラッグ反射器とを含む構造体と、 前記第1の導電型の領域に電気的に接続された第1のコンタクトと、 前記第2の導電型の領域に電気的に接続された第2のコンタクトと、 前記発光領域によって放出された光に対して75%より大きい反射率を有する金属層とを備え、 前記第1及び第2の電気的コンタクトが、前記構造体の同じ側に形成されることを特徴とする発光デバイス。
IPC (1):
H01L33/00
FI (1):
H01L33/00 B
F-Term (13):
5F041AA06 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA85 ,  5F041CB15 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041FF01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
  • 米国特許第5,226,053号公報
  • 米国特許第5,376,580号公報
  • 米国特許第6,220,160号公報
Show all

Return to Previous Page