絶縁ゲート型半導体装置およびそれを用いた駆動回路装置ならびに電子システム

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993204364
Publication number (International publication number)：1995058293
Application date： Aug. 18, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】保護回路内蔵絶縁ゲート型半導体装置の保護機能が働く条件の拡大と加熱遮断の向上と誤動作防止と使い勝手の向上を図ることにある。【構成】本発明の絶縁ゲート型半導体装置は、電力用絶縁ゲート型半導体素子(M9)と、該電力用絶縁ゲート型半導体素子を制御する保護回路用MOSFET(M1〜M7)と、定電圧回路用ダイオード(D2a〜D2f)の順方向電圧を利用した定電圧回路と、該定電圧回路の電源電圧の上限を制御する電圧制限用のダイオード(D1とD0a〜D0d)とを具備し、該電圧制限用のダイオードの電力が前記電力用絶縁ゲート型半導体素子の外部ゲート端子から供給されることを特徴とするものである。【効果】本発明によれば、保護回路内蔵絶縁ゲート型半導体装置の信頼度を向上と使い勝手の向上を図れるという効果がある。

Claim (excerpt)：

電力用絶縁ゲート型半導体素子と、該電力用絶縁ゲート型半導体素子のゲート電流を制御する保護回路用MOSFETと、第1のダイオードの順方向電圧を利用した定電圧回路と、該定電圧回路の電源電圧の上限を制限する定電圧制限手段とを具備し、該定電圧制限手段の電力が前記電力用絶縁ゲート型半導体素子の外部ゲート端子から供給されることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/78

FI (4)：

H01L 27/04 H , H01L 29/78 301 K , H01L 29/78 321 K , H01L 29/78 321 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特公昭51-034270
特公昭51-034270
特開昭62-143450

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