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J-GLOBAL ID：200903034367417967

希土類イオンをドープした窒化ガリウムおよび可視光発光を達成する方法および構造

Inventor： ヘンリック、ジェイ.ロジコフスキー ,  ダブリュ.エム.ヤドウィジーンクザック
Applicant, Patent owner： オハイオ ユニバーシティー
Agent (1)： 吉武 賢次 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000600286
Publication number (International publication number)：2002537647
Application date： Feb. 17, 2000
Publication date： Nov. 05, 2002
Summary：

【要約】本発明は、少なくとも1種のREイオンをドープしたGaN半導体結晶であって、その構造が少なくとも約1,000°Cの温度でアニールされている結晶である。結果として、適切な励起により励起状態にある場合に、約380ナノメートル〜約1000ナノメートルの範囲にわたるルミネセンススペクトルを提供するように、その構造を適合させることが好ましい。本発明は、様々な光電子素子のいずれかでの使用に適した陰極ルミネセンスおよびエレクトロルミネセンスを作製する装置および方法も含む。

Claim (excerpt)：

少なくとも1種の希土類イオンのドーパントを有する窒化ガリウム半導体結晶を含む構造であって、前記構造が少なくとも約1,000°Cの温度でアニールされていることを特徴とする構造。

IPC (3)：

H01L 21/265 601 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (3)：

H01L 21/265 601 A ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

F-Term (11)：

5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F073CA02 ,  5F073CB16 ,  5F073CB18 ,  5F073DA11 ,  5F073DA16