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J-GLOBAL ID：200903034371700096

研磨を併用したエッチング方法及びトレンチ素子分離構造の形成方法

Inventor： 高橋 洋
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994230629
Publication number (International publication number)：1996078389
Application date： Aug. 31, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 所望のエッチングを容易かつ効果的に達成でき、所望のトレンチ素子分離も良好に形成できる研磨を併用したエッチング方法及びトレンチ素子分離構造の形成方法を提供する。【構成】 凸状部51,52と凹状部61,62とを有する被エッチング部材の全面にマスク層7を形成し、必要に応じストッパ層81,82を併用し、マスク層7の頭頂部を研磨することにより前記凸状部51,52の頂部におけるマスク層7を除去し、該マスク層除去部分からエッチングを進行させることにより、少なくとも前記凸状部51,52を選択的にエッチング除去する。

Claim (excerpt)：

凸状部と凹状部とを有する被エッチング部材の全面にマスク層を形成し、該マスク層の頭頂部を研磨することにより前記凸状部の頂部におけるマスク層を除去し、該マスク層除去部分からエッチングを進行させることにより、少なくとも前記凸状部を選択的にエッチング除去することを特徴とする研磨を併用したエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/76

FI (2)：

H01L 21/306 D ,  H01L 21/76 N

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開昭57-204150
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-119395   Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (2)

• 特開昭57-204150
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-119395   Applicant：ソニー株式会社