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J-GLOBAL ID：200903034383021437

単結晶薄膜半導体装置

Inventor： 神林 茂 ,  恩賀 伸二 ,  山部 紀久夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991248170
Publication number (International publication number)：1993090117
Application date： Sep. 27, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は単結晶薄膜半導体装置の集積度、多機能性、動作速度、加工性の向上を目的とする。【構成】 二つ以上の異なる結晶面方位のシリコン基板を貼り合わせる。あるいはウェハの面方位は同じ(110)面であるが、ウェハ面の法線を回転軸として互いに43度〜48度回転して貼り合わせる。または直行する方向に劈開面を持つ(100)ウェハあるいは(110)ウェハの上に(111)ウェハあるいは直行する劈開面を持たないGaAsなど異なる材質の半導体基板を貼り合わせる。【効果】 本発明では素子レイアウトを自由に行い、かつ種々の素子に対して各々適正な半導体基板を用いることを可能にし、また、各々の基板の素子をあらかじめ形成してから組み合わせることも可能であり、集積度、多機能性、動作速度、加工性の向上を達成できる。

Claim (excerpt)：

異なる結晶方位を持つウェハを2枚以上接着し、これらのウェハ上に素子を形成してなることを特徴とする単結晶薄膜半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/04 ,  H01L 29/784