Pat
J-GLOBAL ID:200903034390193170

ポリスチレンを基材としたフォトレジスト材料

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 萼 経夫 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993125518
Publication number (International publication number):1994100488
Application date: Apr. 28, 1993
Publication date: Apr. 12, 1994
Summary:
【要約】【構成】 次式(I)(式中、R1 はH、メチル 基またはハロゲン原子を、nは2または3を表し、RはC数1-6 のアルキル基、ベンジル基、2-テトラヒドロフラニル基、2-テトラヒドロピラニル基、C1-6 のアルコキシ カルボニル基、フェノキシ カルボニル基またはベンジルオキシカルボニル基を表し、あるいは、2つのOR基が互いにo-位である場合、2つのR基は一緒になって4個までのC数1-6 のアルキル基で置換されていてもよいエチレン基を形成するかまたはC数1-6 のアルキリデン基を形成する。)で表される化合物及び該化合物を他の不飽和コモノマーの不在または存在下で重合した分子量(Mw)103 ないし106 を持つポリマー。【効果】 上記ポリマーは高い解像性と良好なコントラストをもつ、特に集積回路製造用のポジ型フォトレジスト材料として優れている。
Claim (excerpt):
次式(I)(式中、R1 は水素原子、メチル基またはハロゲン原子を表し、nは2または3を表し、およびRは炭素原子数1ないし6のアルキル基、ベンジル基、2-テトラヒドロフラニル基、2-テトラヒドロピラニル基、炭素原子数1ないし6のアルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基またはベンジルオキシカルボニル基を表し、あるいは、2つの置換基ORが互いにオルト位である場合、2つの置換基Rは一緒になって4個までの炭素原子数1ないし6のアルキル基で置換されていてもよいエチレン基を形成するかまたは炭素原子数2ないし6のアルキリデン基を形成する。)で表される化合物。
IPC (13):
C07C 43/215 ,  C07C 43/225 ,  C07C 43/285 ,  C07C 43/29 ,  C07C 69/96 ,  C07D307/20 ,  C07D309/12 ,  C08F212/12 MJW ,  C08F222/40 MNE ,  C08F226/02 MNL ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  H05K 3/06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • ハロゲン化銀画像形成材料
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-245000   Applicant:ミネソタマイニングアンドマニュファクチャリングカンパニー

Return to Previous Page