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J-GLOBAL ID：200903034397282683

共振トンネル電界効果トランジスタ

Inventor： サイード・エヌ・テラニ ,  ジュン・シェン ,  ハーバート・ゴロンキン ,  ベイモンド・ケイ・スイ
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997094564
Publication number (International publication number)：1998032336
Application date： Mar. 28, 1997
Publication date： Feb. 03, 1998
Summary：

【要約】【課題】 共振トンネル電界効果トランジスタが提供される。【解決手段】 シリコン・ベースの材料系で形成され、第1導電接点24,第2導電接点30および制御接点26を含む共振トンネル電界効果トランジスタ10であって、共振トンネル・デバイス14は、電界効果トランジスタ12の第2導電接点30の上に動作可能な形で配置され、外部的にアクセス可能な接点40を確定する。共振トンネル・デバイス14は、シリコン・ベースの材料でも、またはIIIー Vベースの材料でも可能である。

Claim (excerpt)：

共振トンネル電界効果トランジスタであって:シリコン・ベースの材料系で形成され、第1導電接点(20,24),第2導電接点(18,30),および制御接点(26)を含む電界効果トランジスタ(12);および、前記電界効果トランジスタ(12)の前記第2導電接点(18,30)の上に動作可能な形で配置され、外部的にアクセス可能な接点(40)を確定するる共振トンネル・デバイス(14);によって構成されることを特徴とするトランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/66

FI (2)：

H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/66