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J-GLOBAL ID：200903034402542656

薄膜形成装置

Inventor： 小西 善之
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 佐藤 祐介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999105051
Publication number (International publication number)：2000297376
Application date： Apr. 13, 1999
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 保護膜が形成されるデバイスに悪影響を与えずに、その保護膜の水素濃度をERDA測定する。【解決手段】 保護膜を形成すべきデバイスからなる成膜用基板とは別の測定用のダミー基板を基板ホルダの一表面に並べるようにして固定して、これら2つの基板に同じ条件で保護膜を形成し、その後基板ホルダごとERDA測定装置に移して位置及び角度を調整して固定し、ERDA測定装置の小型加速器からのイオンビームが測定用ダミー基板にのみ照射され、このダミー基板上の薄膜についての測定が行われるようにする。

Claim (excerpt)：

真空チャンバ中で、基板ホルダによってホールドされた成膜用基板および測定用ダミー基板の表面に薄膜を形成する成膜装置と、真空チャンバ中で、基板ホルダによってホールドされた成膜用基板および測定用ダミー基板のうち、ダミー基板に対してのみイオンビームを照射することによってその表面に形成された薄膜を測定するERDA測定装置と、上記成膜装置からERDA測定装置まで真空中で、成膜用基板および測定用ダミー基板を基板ホルダにホールドしたまま基板ホルダごと一体に搬送する搬送装置とを備えることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (4)：

C23C 16/44 ,  G01N 23/22 ,  G11B 5/39 ,  G11B 5/84

FI (4)：

C23C 16/44 B ,  G01N 23/22 ,  G11B 5/39 ,  G11B 5/84 Z

F-Term (25)：

2G001AA05 ,  2G001BA28 ,  2G001CA04 ,  2G001DA02 ,  2G001KA01 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001NA01 ,  2G001PA07 ,  2G001PA11 ,  2G001QA01 ,  4K030BA28 ,  4K030CA17 ,  4K030FA02 ,  4K030GA01 ,  4K030GA12 ,  4K030KA39 ,  4K030LA01 ,  4K030LA20 ,  5D034BA02 ,  5D034BA17 ,  5D034DA04 ,  5D034DA05 ,  5D034DA07 ,  5D112FA01