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J-GLOBAL ID：200903034433353690

不揮発性記憶素子

Inventor： 小澤 孝典
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 稲岡 耕作 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992062257
Publication number (International publication number)：1993267684
Application date： Mar. 18, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】キャパシタ絶縁膜の実効膜厚を薄くできる不揮発性メモリセル提供をする。【構成】フローティングゲート12とコントロールゲート14との間に介在されるキャパシタ絶縁膜13を、フローティングゲート12からコントロールゲート14に向かって、第1の窒化膜13a、第1の酸化膜13b、第2の窒化膜13c、第2の酸化膜13dを順次積層して、NONO構造とする。【効果】最下層の窒化膜13aによって、第1の酸化膜13bへのフローティングゲート12内のホットエレクトロンの注入がブロックされる。そのため、第1の酸化膜13bを薄くしても、リーク電流をカットできると共に、電荷保持特性の確保できる。

Claim (excerpt)：

チャネル領域を挟んでソース領域およびドレイン領域が形成された半導体基板と、チャネル領域の上部にトンネル絶縁膜を介して形成された浮遊ゲートと、浮遊ゲートの上部にキャパシタ絶縁膜を介して形成された制御ゲートとを備え、ドレイン領域および制御ゲートに各所定の電圧を印加して、ドレイン領域とチャネル領域との境界で生じたホットエレクトロンを浮遊ゲートに注入させることにより、情報の書き込みを行う不揮発性記憶素子において、上記キャパシタ絶縁膜は、浮遊ゲートから制御ゲートに向かって、第1の窒化膜、第1の酸化膜、第2の窒化膜、第2の酸化膜を順次積層したNONO構造を有することを特徴とする不揮発性記憶素子。

IPC (7)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/90 ,  H01L 27/04 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 21/318

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 D