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J-GLOBAL ID：200903034442395532

半導体レーザモジユール

Inventor： 清水 春仁
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991235758
Publication number (International publication number)：1993055710
Application date： Aug. 23, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザモジュールの半導体レーザの発振条件を安定させるため、半導体レーザの温度制御を精度よく行う。【構成】 ヒートシンク8の同一面上に半導体レーザ1とその温度センサであるサーミスタ4を設置し、電子冷却素子5から見て半導体レーザ1とサーミスタ4の熱抵抗を同じにする。電子冷却素子5はサーミスタ4の温度検出結果により制御されるので、半導体レーザ1は精度よく温度制御される。

Claim (excerpt)：

レーザ光を出射する半導体レーザと、前記半導体レーザの温度を検出するための温度センサと、前記温度センサから出力される検出信号により前記半導体レーザを冷却するための電子冷却素子と、前記半導体レーザと前記温度センサが同一面上に固定されるヒートシンクとから構成される半導体モジュール。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 23/38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-075394
  
• 特開平3-048477
  
• 特開平1-318275