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J-GLOBAL ID：200903034472086933

アモルファス炭素膜のCVD堆積用の液体前駆体

Inventor： シーモンズ, マーティン ジェイ ,  イー, ウェンディー エイチ. ,  ラシ, スダ エス.アール. ,  パディ, ディーネシュ ,  ルアン, アンディー(シン チャオ) ,  タン, サム-イー ベティー ,  クルカーニ, プリヤ ,  シヴァラマクリシュナン, ヴィスウェスワレン ,  キム, ボク ホエン ,  マサド, ヒケム ,  ワン, ユシャン メイ ,  クワン, マイケル チウ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (2)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007501834
Publication number (International publication number)：2007531987
Application date： Feb. 24, 2005
Publication date： Nov. 08, 2007
Summary：

アモルファス炭素材料を堆積するための方法が提供される。一態様では、本発明は、処理チャンバに基板を位置決めするステップと、該処理チャンバに処理ガスを導入するステップであって、該処理ガスがキャリアガス、水素および1つ以上の前駆体化合物を含むステップと、二重周波数RF源から電力を印加することによって該処理ガスのプラズマを生成するステップと、該基板上にアモルファス炭素層を堆積するステップとを含む基板処理方法を提供する。【選択図】 図6

Claim (excerpt)：

処理チャンバにおいて基板を処理する方法であって、 前記基板を処理チャンバに位置決めするステップと、 処理ガスを前記処理チャンバに導入するステップであって、前記処理ガスが、水素と式CAHBOCFDを有する1つ以上の前駆体化合物とを含み、ここで、Aが1〜24の範囲を有し、Bが0〜50の範囲を有し、Cが0〜10の範囲を有し、Dが0〜50の範囲を有し、BおよびDの合計が少なくとも2であるステップと、 二重周波数RF源から電力を印加することによって前記処理ガスのプラズマを生成するステップと、 前記基板上にアモルファス炭素層を堆積するステップと、 を備える方法。

IPC (6)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/26 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/768 ,  G03F 7/11 ,  G03F 7/40

FI (6)：

H01L21/205 ,  C23C16/26 ,  H01L21/314 A ,  H01L21/90 A ,  G03F7/11 503 ,  G03F7/40 521

F-Term (84)：

2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025DA34 ,  2H025DA40 ,  2H025FA39 ,  2H096AA25 ,  2H096CA05 ,  2H096EA02 ,  2H096HA23 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  4K030AA04 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030CA04 ,  4K030EA01 ,  4K030FA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA16 ,  4K030JA18 ,  4K030LA15 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH28 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK00 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP09 ,  5F033PP12 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ23 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR12 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045DP03 ,  5F045EE02 ,  5F045EH14 ,  5F045EH19 ,  5F045HA13 ,  5F058BC20 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF26 ,  5F058BH16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 浮基礎の支持構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-169163   Applicant：鹿島建設株式会社
• 炭化ケイ素層のデュアル周波数プラズマ励起化学気相成長
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-277088   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• アモルファスカーボン層の堆積方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-042049   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 炭素を堆積させる方法と装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-513989   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 電子ビームによって低誘電率膜を硬化する方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-503689   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド