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J-GLOBAL ID：200903034478019138

半導体レーザ

Inventor： 岩田 浩和
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997143478
Publication number (International publication number)：1998321949
Application date： May. 16, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 低駆動電力で動作し、長寿命のGaN系窒化物半導体の半導体レーザを提供する。【解決手段】 p型GaN系窒化物半導体基板11上にp型GaN系窒化物半導体層12が積層され、その上に、少なくとも1つのp-n接合を含むGaN系窒化物半導体積層構造13,14,15,16からなる半導体レーザ構造が形成されている。積層構造13,14,15,16の最上部層16は、n型GaN系窒化物半導体層からなり、p型GaN系窒化物半導体基板11の裏面とn型GaN系窒化物半導体層16の表面には、それぞれの導電型に対応した電極,すなわちp側電極19とn側電極18とが形成されている。そして、各々の電極19,18から、電流を注入することによって、レーザ発振を行なわせることができる。

Claim (excerpt)：

p型GaN系窒化物半導体基板上に、少なくとも1つのp-n接合を含むGaN系窒化物半導体積層構造が形成されており、前記積層構造の最上部は、n型GaN系窒化物半導体層となっており、前記p型GaN系窒化物半導体基板の裏面と前記積層構造の最上部のn型GaN系窒化物半導体層の表面とには、それぞれの導電型に対応した電極が形成され、この電極に電流を注入することによりレーザ発振を行なわせることを特徴とする半導体レーザ。