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J-GLOBAL ID：200903034480950655

半導体ウエハ製造方法及び装置

Inventor： 黛 雅典 ,  今井 正人 ,  井上 和俊 ,  中原 信司
Applicant, Patent owner： 株式会社スーパーシリコン研究所
Agent (1)： 佐藤 正年 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998064526
Publication number (International publication number)：1999251281
Application date： Feb. 27, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】 最終洗浄後の半導体ウエハに付着した水分を完全に除去して高品質な半導体ウエハを製造する。【解決手段】 半導体単結晶から切り出された半導体ウエハ基板をエピタキシャル成長前の最終洗浄する洗浄手段と、前記最終洗浄された半導体ウエハ基板を保管し、又は次の工程を行う処理装置と、前記最終洗浄された半導体ウエハ基板を前記洗浄手段から前記処理装置へ搬送する搬送手段を有する半導体ウエハ製造装置において、前記搬送手段は、搬送中の半導体ウエハ基板を所定温度に加熱する加熱手段を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体単結晶から切り出された半導体ウエハ基板を最終洗浄した後、最終洗浄された半導体ウエハ基板を洗浄室から搬出して次の工程を行う処理装置に搬送する搬送工程において、搬送する半導体ウエハ基板を所定温度に加熱する加熱工程を含むことを特徴とする半導体ウエハ製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 648 ,  H01L 21/68

FI (2)：

H01L 21/304 648 A ,  H01L 21/68 A