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J-GLOBAL ID：200903034490176800

半導体装置の製造方法

Inventor： 水島 賢子 ,  畠中 正信
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  富士通ヴイエルエスアイ株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991219106
Publication number (International publication number)：1993063100
Application date： Aug. 30, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 Si有機化合物をアニールしてSiO2 とする層間絶縁膜の形成に関し,残留有機成分が少なく,クラックを生じないアニール法を目的とする。【構成】 基板上に堆積されたシリコンの有機化合物膜の少なくとも一部の有機成分を離脱せしめるアニールにより,有機化合物膜をシリコン酸化物からなる層間絶縁膜とする半導体装置の製造方法において,アニールを,窒素に20%以下の酸素が混合された常圧乃至1mToorの圧力の雰囲気中で,該有機化合物膜が酸素雰囲気中で酸化が急激に進み始める臨界温度以上で450°C以下の温度範囲で行うことを特徴として構成する。

Claim (excerpt)：

基板上に堆積されたシリコンの有機化合物膜の少なくとも一部の有機成分を離脱せしめるアニールにより,該有機化合物膜をPSG(Pガラス),BSG(Bガラス),BPSG(BPガラス),AsSG(Asガラス)及びその他のシリコン酸化物の一つからなる絶縁膜とする半導体装置の製造方法において,該アニールを,窒素に20%以下の酸素が混合された常圧乃至1mTorrの圧力の雰囲気中で,該有機化合物膜が酸素雰囲気中で酸化が急激に進み始める臨界温度以上かつ450°C以下の温度範囲で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/324