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J-GLOBAL ID：200903034494458419

酸化インジウム-酸化錫スパッタリングターゲットの製造法

Inventor： 杉原 忠 ,  町野 毅 ,  武下 拓夫 ,  大内 幸弘
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 富田 和夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992168529
Publication number (International publication number)：1993339721
Application date： Jun. 03, 1992
Publication date： Dec. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置の透明電極、帯電防止導電膜コーティング、ガスセンサーなどに用いられるインジウム-錫酸化物透明導電膜を作製するためのスパッタリング用ターゲットの製造法に関する。【構成】 Snが固溶した酸化インジウム粉末、または酸化インジウム粉末および酸化錫粉末からなる混合粉末を、650〜1100°Cで真空中で熱処理したのち500°C以下まで一旦冷却し、ついで900〜1300°Cで真空ホットプレスするITOスパッタリングターゲットの製造法。

Claim (excerpt)：

Snが固溶した酸化インジウム粉末を、真空中、温度:650〜1100°Cで熱処理したのち500°C以下まで一旦冷却し、ついで900〜1300°Cで真空ホットプレスすることを特徴とする酸化インジウム-酸化錫スパッタリングターゲットの製造法。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/00