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J-GLOBAL ID：200903034496924280

薄膜歪抵抗材料とその製造方法及び薄膜歪みセンサ

Inventor： 中釜 詳治 ,  内海 慶春 ,  大久保 総一郎 ,  岡本 曉
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993109948
Publication number (International publication number)：1994300649
Application date： Apr. 12, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 Crと主体とする薄膜歪抵抗材料は、ゲ-ジ率が大きいが、ブリッジ内での、抵抗温度特性、感度温度特性などのばらつきが大きい。また抵抗温度特性や感度温度特性そのものも大きい。これらのパラメ-タの値が小さくばらつきの少ない薄膜歪抵抗材料を与えることが目的である。【構成】 従来のクロムの薄膜歪抵抗材料は多くの酸素を含す。クロムの酸化物は数多くしかも不安定である。とりわけアモルファス酸化クロムが不安定でこれがパラメ-タのばらつきを大きくしている。本発明では窒素の雰囲気で200°C以上に加熱した基板の上に薄膜形成をし、窒素の雰囲気でアニ-ルをする。これによりクロムはbccCrとCrN2 の構造のみを含むようになる。これは安定であるから歪抵抗材料のパラメ-タが変化せず、ブリッジ内でのばらつきも小さい。

Claim (excerpt)：

クロムを主体とする薄膜歪抵抗材料において、bccクロムと六方晶Cr2 Nの結晶構造を有することを特徴とする薄膜歪抵抗材料。

IPC (2)：

G01L 9/04 101 ,  G01B 7/18