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J-GLOBAL ID:200903034519236769

電子ビーム装置の陰極物質及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 和田 成則
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2000575144
Publication number (International publication number):2002527855
Application date: Oct. 01, 1999
Publication date: Aug. 27, 2002
Summary:
【要約】【課題】 電子ビーム装置の陰極用物質を提供する。【解決手段】 陰極用物質は、セリウムグループの希土類金属0.5ないし9.0重量%、タングステン及び/またはレニウム0.5ないし15.0重量%、ハフニウム0.5ないし10重量%及び残量のイリジウムを含む合金であることを特徴とする。前記陰極用物質は、可塑性に優れて小さなエミッタを製造しやすいだけでなく電子放出能力が大きく、作動温度が低くて長寿命を有するので電子ビーム装置の陰極物質として有用である。
Claim (excerpt):
セリウムグループの希土類金属0.5ないし9.0重量%、タングステン及び/またはレニウム0.5ないし15.0重量%、ハフニウム0.5ないし10重量%及び残量のイリジウムを含むことを特徴とする電子ビーム装置の陰極用物質。
IPC (5):
H01J 1/14 ,  C22C 1/02 503 ,  C22C 5/04 ,  H01J 1/20 ,  H01J 9/04
FI (5):
H01J 1/14 A ,  C22C 1/02 503 A ,  C22C 5/04 ,  H01J 1/20 G ,  H01J 9/04 B

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