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J-GLOBAL ID：200903034522065100

半導体集積回路装置

Inventor： 岡田 澄夫 ,  清水 一男 ,  星 彰郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991170942
Publication number (International publication number)：1993021677
Application date： Jul. 11, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 ヒートシンク付多ピンICのリード部を電解メッキする際のメッキ電流による回路損傷を回避する。【構成】 リードフレーム3の一部をヒートシンク2に電気的に導通させた状態を樹脂で封止・固定する。【効果】 リードフレーム3とヒートシンク2の間に電流バイパス路が形成され、メッキ電流が半導体基板1を迂回して流れるようになることで、上記目的が達成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板をヒートシンクに装着し、かつリードフレームに連接する多数のリード部との配線を行なうとともに、上記リードフレームの一部を上記ヒートシンクに電気的に導通させた状態を樹脂で封止・固定したことを特徴とする半導体集積回路装置。