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J-GLOBAL ID：200903034531375022

横型受光素子及びその形成方法

Inventor： 村田 道夫
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993086345
Publication number (International publication number)：1994302843
Application date： Apr. 13, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高感度で応答速度の速い横型受光素子を提供することを目的とする。【構成】 InP基板を適用する横型受光素子にあっては、InP基板上に、Ga(1-x) Inx As(但し、x>0.6)の結晶層とGa0.47In0.53Asの受光層とを積層させた構造を備えた。又、GaAs基板を適用する横型受光素子にあっては、GaAs基板上に、Ga(1-x) Inx As(但し、x>0.1)からなる結晶層とGaAsの受光層とを積層させた構造を備えた。

Claim (excerpt)：

InP基板上に形成されたGa(1-x) Inx As(但し、x>0.6)からなる結晶層と、該結晶層上に形成されたGa0.47In0.53Asからなる受光層とを有することを特徴とする横型受光素子。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/108

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-216386
  
• 特開平4-287979