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J-GLOBAL ID：200903034537160907

ナノポーラス・シリカ薄膜を製造するための改善された方法

Inventor： スミス,ダクラス・エム ,  ラモス,テレサ ,  ロデリック,ケヴィン・エイチ ,  ウォーレス,スティーブン
Applicant, Patent owner： アライドシグナル・インコーポレーテッド
Agent (1)： 社本 一夫 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998547456
Publication number (International publication number)：2001522536
Application date： Apr. 29, 1998
Publication date： Nov. 13, 2001
Summary：

【要約】基板上にナノポーラス絶縁性被膜を形成する方法。この方法は、次の:アルコキシシランを溶媒組成物、および、場合によっては水と混合し;その混合物を、その溶媒組成物の少なくとも一部を蒸発させながら基板上に堆積させ;その基板を密閉されたチャンバー中に入れ、そしてそのチャンバーを大気圧より低い圧力まで脱気し;その基板を水蒸気に大気圧より低い圧力で曝し;次いでその基板を塩基の蒸気に曝す各工程に従って行われる。

Claim (excerpt)：

次の:(a)少なくとも一種のアルコキシシランを、溶媒組成物、および、場合によっては水と混合して混合物を調製し、そして該アルコキシシランの部分加水分解と部分縮合を誘起させ;(b)該混合物を、該溶媒組成物の少なくとも一部を蒸発させながら基板上に堆積させ;(c)該基板を密閉されたチャンバー中に入れ、そして該チャンバーを大気圧より低い圧力まで脱気し;(d)該基板を、水蒸気または塩基の蒸気のいずれか一方に大気圧より低い圧力で曝し;次いで(e)該基板を、それが工程(d)で塩基の蒸気に曝されていれば水蒸気に、あるいは該基板が工程(d)で水蒸気に曝されていれば塩基の蒸気に曝す;工程を含んでなる、基板上にナノポーラス絶縁性被膜を形成させる方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C01B 33/12 ,  C23C 18/12

FI (3)：

H01L 21/316 G ,  C01B 33/12 C ,  C23C 18/12