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J-GLOBAL ID：200903034550862805

補助記憶装置

Inventor： 羽上田 公彦
Applicant, Patent owner： 日本電産株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992248608
Publication number (International publication number)：1994075836
Application date： Aug. 25, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 フラッシュメモリの有する書き換え回数の欠点をカバーし、高速の読み書きが可能な外部記憶装置を提供する。【構成】 コンピュータシステム2に接続して使用され、コンピュータシステム2からのアクセスによりデータの読み書きが行われる補助記憶装置であって、記憶手段として読み出し書き込み自由なRAM5及び電気的に一括消去・再書き込みが可能なフラッシュメモリ6を備え、コンピュータシステム2との間で情報の受け渡しを行う制御部3により、コンピュータシステム2の運用時に書き換え回数の多い特定ファイルに対してRAM領域を割り当てて、RAM5に対してのみアクセスし、コンピュータシステム2の運用終了時にRAM5の記憶データをフラッシュメモリ6に書き込む構成とする。

Claim (excerpt)：

コンピュータシステムに接続して使用され、前記コンピュータシステムからのアクセスによりデータの読み書きが行われる補助記憶装置であって、読み出し書き込み自由なRAMと、電気的に一括消去・再書き込みが可能なフラッシュメモリと、前記コンピュータシステムとの間で情報の受け渡しを行い、前記RAMと前記フラッシュメモリに対してそれぞれ個々に読み書きを制御する制御部と、を備えてなり、前記制御部は、書き換え回数の多い特定ファイルに限り、前記コンピュータシステムの運用初期時に前記特定ファイルのデータを前記RAMロードして運用時に前記RAMに対してのみアクセスし、前記コンピュータシステムの運用終了時に前記RAMの記憶データを前記フラッシュメモリに書き込むことを特徴とする補助記憶装置。

IPC (2)：

G06F 12/00 514 ,  G06F 3/06 302

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-292798
  
• 特開平3-246616
  
• 特開平4-199395