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J-GLOBAL ID：200903034556713887

被処理物体表面または当該表面上の物質を減圧下で酸化する方法

Inventor： 菅原 寛 ,  五十嵐 龍志 ,  平本 立躬 ,  松野 博光
Applicant, Patent owner： ウシオ電機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994248305
Publication number (International publication number)：1996085861
Application date： Sep. 19, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 オゾン発生機を使用しなくても、高濃度のオゾンあるいは活性酸化性分解物が得られ、したがって安価で、処理スピードが大きく、また、光源から被処理物体までの距離が稼げ、被処理物体表面の凹凸にも均一に処理できる、被処理物体表面もしくは当該表面上の物質を酸化する方法、汚染物や不要有機物を酸化除去する方法、もしくは濡れ性を改善する方法を提供する。【構成】 キセノンあるいはキセノンを主成分としたガスを封入した誘電体バリア放電ランプから放射される真空紫外光を、減圧下で酸素または酸素を含有する流体に照射し、光化学反応によってオゾンおよび活性酸化性分解物を生成せしめ、このオゾンおよび活性酸化性分解物を被処理物体表面または当該表面上の物質に接触せしめて、当該表面もしくは当該物質を酸化せしめる。

Claim (excerpt)：

キセノンあるいはキセノンを主成分としたガスを封入した誘電体バリア放電ランプから放射される真空紫外光を、減圧下で酸素または酸素を含有する流体に照射し、光化学反応によってオゾンおよび活性酸化性分解物を生成せしめ、このオゾンおよび活性酸化性分解物を被処理物体表面または当該表面上の物質に接触せしめて、当該表面もしくは当該物質を酸化せしめることを特徴とする、被処理物体表面または当該表面上の物質を減圧下で酸化する方法。