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J-GLOBAL ID：200903034568602878

ヒートシンク付半導体装置およびその製造方法

Inventor： 堀 哲二 ,  カオ・ミン・タイ
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999058749
Publication number (International publication number)：2000260918
Application date： Mar. 05, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 耐久性に優れ、かつ高熱を発するパワー系半導体素子の搭載にも十分に耐えることができる構造を持つヒートシンク付半導体装置を提供すること。【解決手段】 ヒートシンク1上に形成された積層絶縁膜2と、積層絶縁膜2上に接続されたリードフレーム3と、リードフレーム3上に実装された半導体チップ4と、半導体チップ4を封止するモールド樹脂6とを具備する。そして、積層絶縁膜2は、ヒートシンク1側に形成され、放熱性フィラー7を80重量%の割合で含有したエポキシ樹脂を含む第1層絶縁性樹脂層2-1と、リードフレーム3側に形成され、放熱性フィラー7を70重量%で含有したエポキシ樹脂を含む第2層絶縁性樹脂層2-2を含むことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

ヒートシンクと、前記ヒートシンク上に形成された積層絶縁膜と、前記積層絶縁膜上に接続されたリードフレームと、前記リードフレーム上に実装された電子部品と、前記リードフレームのアウターリード部および前記ヒートシンクの放熱面を外界に露出させた状態で、前記電子部品を封止する封止体とを具備し、前記積層絶縁膜は、少なくとも前記ヒートシンク側に形成され、放熱性フィラーを含有した絶縁性母材を含む第1の層と、前記リードフレーム側に形成され、前記放熱性フィラーを含有した前記絶縁性母材を含む第2の層とを含むことを特徴とするヒートシンク付半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/40 ,  H01L 23/373

FI (2)：

H01L 23/40 F ,  H01L 23/36 M

F-Term (6)：

5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BB08 ,  5F036BB21 ,  5F036BC22 ,  5F036BE01