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J-GLOBAL ID：200903034571743334

ICチップのバンプ形成方法

Inventor： 誉田 敏幸
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994303429
Publication number (International publication number)：1996162491
Application date： Dec. 07, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、ICチップをTABテープや実装基板等の外部電極とを接続する為の接続部分に係わり、特にICチップ上に設けられるバンプの形成方法に関し、高い信頼性のあるボンディングを方法を得ることを目的とする。【構成】 TABテープ或いは基板上にICチップを接合するバンプの形成方法であって、ICチップのパッド上に選択的にめっきバンプを形成し、続いて、めっきバンプ上にボンディングワイヤのボールからなるボンディングバンプを形成する。

Claim (excerpt)：

TABテープ或いは基板上にICチップを接合するバンプの形成方法であって、該ICチップのパッド上に選択的にめっきバンプを形成し、続いて該めっきバンプ上にボンディングワイヤのボールからなるボンディングバンプを形成することを特徴とするICチップのバンプ形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/321

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-116266   Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• 半導体集積回路装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-155029   Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社