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J-GLOBAL ID：200903034574512252

シリコン半導体およびシリコン酸化物の洗浄液

Inventor： 佐近 正 ,  上村 賢一 ,  森 良弘 ,  島ノ江 憲剛 ,  大塚 進 ,  宗平 修司
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
Agent (1)： 井上 雅生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993283845
Publication number (International publication number)：1995115077
Application date： Oct. 19, 1993
Publication date： May. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本願は、シリコン半導体およびシリコン酸化物の高精度洗浄を達成する洗浄液を提供する。【構成】 表面不純物金属および付着微粒子数を著しく低減し、かつ表面の親水性を維持して表面の不安定化を防止できるシリコン半導体およびシリコン酸化物用の洗浄液であって、0.005%以上〜0.05重量%未満のフッ化水素および0.3%以上〜20.0重量%以下の過酸化水素を含むpHが1以上5未満の酸性水溶液である。

Claim (excerpt)：

0.005重量%以上〜0.05重量%未満のフッ化水素および0.3重量%以上〜20.0重量%以下の過酸化水素を含むpHが1以上5未満の酸性水溶液であることを特徴とするシリコン半導体およびシリコン酸化物の洗浄液。

IPC (4)：

H01L 21/304 341 ,  C11D 7/08 ,  C11D 7/18 ,  H01L 21/308