半導体装置及びその作製方法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加茂裕邦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996335152
Publication number (International publication number)：1997312260
Application date： Nov. 29, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】非晶質珪素膜に結晶化を助長する金属元素(例えばNi)を導入して低温で結晶化させる方法において、その後のゲッタリングを効果的に行う。【解決手段】非晶質珪素膜10に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入して第1の加熱処理により該非晶質珪素膜を結晶化させて結晶性珪素膜15を得た後、酸化性雰囲気中で第2の加熱処理を行い、該結晶性珪素膜中に存在する当該金属元素を除去又は減少させるとともに、形成された熱酸化膜16を除去し、該熱酸化膜を除去した領域の表面上に再度の熱酸化により熱酸化膜18を形成する。該酸化性雰囲気には酸素含有酸化性雰囲気、ハロゲン含有酸化性雰囲気などが用いられる。

Claim (excerpt)：

非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を意図的に導入し、第1の加熱処理により該非晶質珪素膜を結晶化させて結晶性珪素膜を得る工程と、酸化性雰囲気中で第2の加熱処理を行い、該結晶性珪素膜中に存在する当該金属元素を除去又は減少させる工程と、該工程で形成された熱酸化膜を除去する工程と、該熱酸化膜を除去した領域の表面上に再度の熱酸化により熱酸化膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (6)：

H01L 21/20 , H01L 21/322 , H01L 21/324 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 21/20 , H01L 21/322 Q , H01L 21/324 Z , H01L 27/12 R , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-331626 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-335043 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜状半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-156647 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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