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J-GLOBAL ID：200903034582093129

リグニン系リサイクル材料

Inventor：
舩岡 正光

About 舩岡 正光

, 
永松 ゆきこ

About 永松 ゆきこ


Applicant, Patent owner：
舩岡 正光

About 舩岡 正光


Agent (1)： 藍原 誠 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000073396
Publication number (International publication number)：2001261839
Application date： Mar. 16, 2000
Publication date： Sep. 26, 2001
Summary：
【要約】【課題】 リグノセルロース系物質の効率的な再利用を図る手段を提供すること。【解決手段】 4位(パラ位)に置換基を有するフェノール誘導体の2位又は6位(オルト位)の炭素原子及び/又は2位(オルト位)及び4位(パラ位)に置換基を有するフェノール誘導体の6位(オルト位)の炭素原子がリグニンのフェニルプロパン単位のベンジル位の炭素原子に結合してなるリグノフェノール誘導体を、アルカリ条件下で架橋性官能基形成化合物と反応させて、フェノール性水酸基のオルト位に架橋性官能基を有する架橋性リグノフェノール誘導体を調製し、前記架橋性リグノフェノール誘導体を加熱して架橋体を調製することによって得られることを特徴とする、リグノフェノール誘導体から成る高分子材料。
Claim (excerpt)：
4位(パラ位)に置換基を有するフェノール誘導体の2位又は6位(オルト位)の炭素原子及び/又は2位(オルト位)及び4位(パラ位)に置換基を有するフェノール誘導体の6位(オルト位)の炭素原子がリグニンのフェニルプロパン単位のベンジル位の炭素原子に結合してなるリグノフェノール誘導体を、アルカリ条件下で架橋性官能基形成化合物と反応させて、フェノール性水酸基のオルト位に架橋性官能基を有する架橋性リグノフェノール誘導体を調製し、前記架橋性リグノフェノール誘導体を加熱して架橋体を調製することによって得られることを特徴とする、リグノフェノール誘導体から成る高分子材料。
IPC (4)：
C08H 5/02 ,  B09B 3/00 ZAB ,  B09B 3/00 ,  C08G 8/20
FI (4)：
C08H 5/02 ,  C08G 8/20 A ,  B09B 3/00 ZAB ,  B09B 3/00 304 H
F-Term (25)：
4D004AA01 ,  4D004BA07 ,  4D004CA04 ,  4D004CA08 ,  4D004CA15 ,  4D004CA22 ,  4D004CA34 ,  4D004CA35 ,  4D004CA40 ,  4D004CA42 ,  4D004CB02 ,  4D004CB21 ,  4D004CC04 ,  4J033CA01 ,  4J033CA02 ,  4J033CA12 ,  4J033CA16 ,  4J033CA29 ,  4J033CA32 ,  4J033CB14 ,  4J033CB25 ,  4J033CC04 ,  4J033HA23 ,  4J033HA28 ,  4J033HB01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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