Pat
J-GLOBAL ID：200903034583682896
プラズマエッチング方法及び装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石戸 元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992181842
Publication number (International publication number)：1993347279
Application date： Jun. 15, 1992
Publication date： Dec. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】 被エッチング膜をマスク層あるいは下地層と高選択比で、かつ均一にエッチング加工する。【構成】 ウェーハ載置電極及び対向電極にそれぞれ独立に同一周波数の高周波電力を供給し、当該電力の位相差を所望値にしてエッチングを開始し、エッチング終点検出後、その位相差を段階的又は連続的に変化させ、オーバエッチング時のエッチング速度の対下地選択比又は対マスク選択比を増加し、下地層又はマスク層を保護することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
対向する両電極にそれぞれ同一周波数の交流電力を供給する構成より成るプラズマエッチング方法において、両電極へ独立に交流電力を,当該電力の位相差を任意の値にして供給し、その位相差をエッチング中に任意に段階的あるいは連続的に変化させることを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (2)：
Return to Previous Page
