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J-GLOBAL ID：200903034604816049
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997157854
Publication number (International publication number)：1998335459
Application date： May. 30, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：
【要約】【課題】隣接配線間容量を精度良くかつ任意に低減可能とし、半導体装置の微細化と高速化を両立させることができる、半導体装置およびその製造方法の提供。【解決手段】配線間の絶縁膜が、少なくとも配線の上面より上方の位置から配線の底面より下方の位置までの高さを持ち、かつ、側壁が基板に対して80°から100°の角度で直線的である空洞を備える。
Claim (excerpt)：
素子間を接続する配線を有する半導体装置において、配線間の絶縁膜が、少なくとも配線の上面よりも上方の位置から前記配線の底面よりも下方の位置までの高さをもつ柱状の空洞を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/768
, H01L 21/306
H01L 21/90 N
, H01L 21/306 F
