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J-GLOBAL ID:200903034608584088

フッ化デンドロンおよび自己組織化超高密度ナノシリンダ組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 市之瀬 宮夫
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2004537925
Publication number (International publication number):2005539077
Application date: Sep. 17, 2003
Publication date: Dec. 22, 2005
Summary:
本発明は、新規のフッ化デンドロンおよび核に高電子移動度または正孔移動度のドナー(D)、アクセプター(A)、またはD-A錯体のp-スタックを含む超分子ナノシリンダ組成物に自己組立するようプログラムされた、機能化フッ化デンドロンを生成する方法に関する。このようなナノシリンダ組成物は、ほかに類を見ない高電荷キャリア移動度を有し、合成および取り扱いが比較的簡単で、液晶を利用した光電子素子に関する用途のほかにトランジスタ、光電池、光伝導体、光屈折、光放射、および光電子などの素子において非常に有用である。
Claim (excerpt):
化学式Iの化合物
IPC (4):
C07C69/92 ,  B82B1/00 ,  C07C205/55 ,  C07D209/86
FI (4):
C07C69/92 ,  B82B1/00 ,  C07C205/55 ,  C07D209/86
F-Term (17):
4C204BB05 ,  4C204CB25 ,  4C204DB07 ,  4C204EB01 ,  4C204FB17 ,  4C204GB01 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB78 ,  4H006BJ30 ,  4H006BJ50 ,  4H006BM10 ,  4H006BM71 ,  4H006BP10 ,  4H006BP30 ,  4H006KC14 ,  4H006KC30
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
  • アメリカ特許No. 5,731,095号明細書
  • アメリカ特許No. 5,872,255号明細書
  • アメリカ特許No. 5,886,110号明細書
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Article cited by the Patent:
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