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J-GLOBAL ID：200903034613839957

半導体装置及び半導体装置の作製方法

Inventor：
波多野 剛久

About 波多野 剛久

, 
徳永 肇

About 徳永 肇


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006271889
Publication number (International publication number)：2007134684
Application date： Oct. 03, 2006
Publication date： May. 31, 2007
Summary：
【課題】基板上にトランジスタ等の半導体素子とセンサーとを作り込んで設ける場合に、同一工程で作製することにより得られる半導体装置およびその作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】同一基板上に、互いに接する第1の領域および第2の領域を有する第1の半導体膜と、チャネル領域とソースまたはドレイン領域として機能する第3の領域とを有する第2の半導体膜と、第1の半導体膜および第2の半導体膜を覆って設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ且つ第1の領域と電気的に接続する第1の導電膜と、第2の領域と電気的に接続する第2の導電膜とを設け、第1の領域、第2の領域および第3の領域に不純物元素を第1の領域と第2の領域に含まれる不純物元素の濃度が異なるように導入する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
同一基板上に形成された、第1の領域および前記第1の領域と接した第2の領域を有する第1の半導体膜と、チャネル領域とソース領域またはドレイン領域として機能する第3の領域とを有する第2の半導体膜と、 前記第1の半導体膜および前記第2の半導体膜を覆って設けられた絶縁膜と、 前記絶縁膜上に設けられ、且つ前記第1の領域と電気的に接続する第1の導電膜と、前記第2の領域と電気的に接続する第2の導電膜と、 前記第1の半導体膜と前記第1の導電膜および第2の導電膜との接続する部分の前記第1の半導体膜の表面に形成されたシリサイドとを有し、 前記第1の領域、第2の領域および第3の領域に不純物元素が導入されており、 前記第1の領域と前記第2の領域に含まれる不純物元素の濃度が異なることを特徴とする半導体装置。
IPC (11)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/28 ,  H01L 51/05 ,  H01L 27/10
FI (11)：
H01L29/78 624 ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616S ,  H01L27/04 H ,  H01L29/48 M ,  H01L29/50 M ,  H01L21/90 A ,  H01L27/10 448 ,  H01L27/10 449 ,  H01L27/10 451
F-Term (191)：
4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH10 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ10 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK10 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033KK29 ,  5F033KK30 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN01 ,  5F033NN03 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ70 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033SS08 ,  5F033SS10 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT01 ,  5F038AV04 ,  5F038AZ04 ,  5F038AZ07 ,  5F038AZ08 ,  5F038BH16 ,  5F038DF01 ,  5F038DF05 ,  5F038DT12 ,  5F038DT17 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ20 ,  5F083CR14 ,  5F083CR16 ,  5F083FZ07 ,  5F083FZ10 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA18 ,  5F083MA19 ,  5F083PR05 ,  5F083PR12 ,  5F083PR18 ,  5F083PR23 ,  5F083ZA11 ,  5F083ZA23 ,  5F110AA04 ,  5F110AA24 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB07 ,  5F110BB08 ,  5F110BB09 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (5)
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