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J-GLOBAL ID:200903034614808206
真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ライン
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高田 幸彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995182921
Publication number (International publication number):1997036198
Application date: Jul. 19, 1995
Publication date: Feb. 07, 1997
Summary:
【要約】【目的】試料の大口径化に対応しつつ、製造コストの上昇を抑え、かつ、メンテナンス性も損なわない真空処理装置を提供する。【構成】カセットブロック1と真空処理ブロック2とから構成され、該カセットブロックには、試料を収納した複数のカセット12を載置するカセット台と、前記試料の搬送を行う大気搬送手段とが設けられ、前記真空処理ブロックには、前記試料を真空処理する処理室と、前記試料を搬送する真空搬送手段とが配置された真空処理装置において、前記カセットブロックと前記真空処理ブロックの平面形状がそれぞれ略長方形であり、前記カセットブロックの幅寸法を、前記真空処理ブロックの幅寸法をよりも大きくし、前記真空処理装置の平面形状をL字形またはT字形に形成した。
Claim (excerpt):
カセットブロックと真空処理ブロックとから構成され、該カセットブロックには、試料を収納したカセットを載置するカセット台が設けられ、前記真空処理ブロックには、前記試料を真空処理する処理室と、前記試料を搬送する真空搬送手段とが配置された真空処理装置において、前記カセットブロックと前記真空処理ブロックの平面形状がそれぞれ略長方形であり、前記カセットブロックの幅をW1 、前記真空処理ブロックの幅をW2 、前記カセットの幅をCwとしたとき、W1-W2 ≧Cw としたことを特徴とする真空処理装置。
IPC (5):
H01L 21/68
, H01L 21/02
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
FI (5):
H01L 21/68 A
, H01L 21/02 Z
, H01L 21/203 S
, H01L 21/205
, H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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特開平4-108531
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半導体製造設備
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-021466
Applicant:三菱電機株式会社
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特開平4-108531
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特開平4-108531
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特開昭60-246635
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